AT-41535G参数：TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)产品变化通告： AT-41535GObsolescence25/Mar/2013标准包装：100系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：12V频率-跃迁：8GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.3dB~3dB@1GHz~4GHz增益：10dB~18dB功率-最大值：500mW不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：30@10mA，8V电流-集电极(Ic)（最大值）：60mA安装类型：表面贴装封装：4-SMD（35micro-X）供应商器件封装：35micro-X
