AUIRF7648M2TR1参数：MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： AUIRF7648M2TR1SaberModel AUIRF7648M2TR1SpiceModel标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：179A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@41A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：53nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2170pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等距M4供应商器件封装：DIRECTFET?M4
