AUIRF7669L2TR1参数：MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： AUIRF7669L2TR1SaberModel AUIRF7669L2TR1SpiceModel标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：375A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.4毫欧@68A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5660pF@25V功率-最大值：3.3W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等距L8供应商器件封装：DIRECTFETL8
