AUIRLL2705TR参数：MOSFET N CH 55V 3.8A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：2,500系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@3.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：870pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
