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BC856BDW1T1G

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BC856BDW1T1G
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BC856BDW1T1G参数：TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
产品变化通告： WireChange08/Jun/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2PNP（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：65V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：650mV@5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：220@2mA，5V
功率-最大值：380mW
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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