BF1210,115参数：MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：N 通道双门频率：400MHz增益：31dB电压 - 测试：5V额定电流：30mA噪声系数：0.9dB电流 - 测试：19mA功率 - 输出：-电压 - 额定：6V封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：6-TSSOP
