BF1211WR,115参数:MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:N 通道双门频率:400MHz增益:29dB电压 - 测试:5V额定电流:30mA噪声系数:0.9dB电流 - 测试:15mA功率 - 输出:-电压 - 额定:6V封装:SC-82A,SOT-343供应商器件封装:CMPAK-4