BFG35,115参数：TRANS NPN 10V 150MA SOT223
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：18V频率 - 跃迁：4GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-增益：-功率 - 最大值：1W不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 100mA，10V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SC-73
