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BFR30LT1

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BFR30LT1 优势库存
ON
2023+
1992
绝对原装现货！可出样片！
BFR30LT1
ONS
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2023+
5557
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BFR30LT1G
ON
SOT23
2023+
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BFR30LT1
ONSemiconducto..
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2011
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BFR30LT1G
onsemi
SOT-23-3（TO-..
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BFR30LT1
ON
SOT-23-3
2023+
5438
绝对原装现货！可出样片！
相关型号： BFR30,235 BFR30,215 BFR24A24P BFR24-9S-1 BFR-24-7S-1 BFR24-6P-1

BFR30LT1
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BFR30LT1参数：TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：4mA@10V
漏源极电压(Vdss)：25V
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：5V@0.5nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5pF@10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：225mW

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