BFR31LT1G参数：TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品变化通告： ProductDiscontinuation21/Jun/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：1mA@10V漏源极电压(Vdss)：25V漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：-不同Id时的电压-截止（VGS关）：2.5V@0.5nA不同Vds时的输入电容(Ciss)：5pF@10V电阻-RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）功率-最大值：225mW
