BFR30,215参数：FET N-CHAN 25V SOT-23
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：4mA @ 10V漏源极电压 (Vdss)：25V漏极电流 (Id) - 最大值：10mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 0.5nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4pF @ 10V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TO-236AB功率 - 最大值：250mW
