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BLF6G22LS-100

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BLF6G22LS-100,112
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BLF6G22LS-100,112参数：TRANS BASESTATION 2-LDMOST

类别：分立半导体产品-RF FET
标准包装：20
系列：-
包装：托盘
晶体管类型：LDMOS
频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
增益：18.2dB
电压 - 测试：28V
额定电流：29A
噪声系数：-
电流 - 测试：950mA
功率 - 输出：25W
电压 - 额定：65V
封装：SOT-502B
供应商器件封装：SOT502B

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