BS107PSTZ参数：MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 欧姆 @ 100mA，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：500mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3
