BS108G参数：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010标准包装：1,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8欧姆@100mA，2.8V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@25V功率-最大值：350mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体供应商器件封装：TO-92-3
