BS108ZL1G参数：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带盒（TB）FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：250mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 100mA，2.8V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 25V功率 - 最大值：350mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3
