BS170PSTZ参数：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：270mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 10V功率 - 最大值：625mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3
