BS170ZL1G参数:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装:2,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5欧姆@200mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):60pF@10V功率-最大值:350mW安装类型:通孔封装:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线供应商器件封装:TO-92-3