BSC014N06NS参数:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:5,000系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 毫欧 @ 50A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 120µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):89nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6500pF @ 30V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-PowerTDFN供应商器件封装:PG-TDSON-8