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BSC027N03S

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相关型号： BSC026N02KS G BSC025N03MS G BSC025N03LS G BSC024NE2LS BSC024N025S G BSC022N03SG

BSC027N03S G
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BSC027N03S G参数：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.7毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@90µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6540pF@15V
功率-最大值：89W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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