BSC027N03S G参数：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.7毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@90µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6540pF@15V功率-最大值：89W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
