BSC082N10LS G参数：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 110µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：104nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7400pF @ 50V功率 - 最大值：156W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8
