BSC084P03NS3E G参数：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 50A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 110µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4240pF @ 15V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8
