BSD12

BSD214SN H6327
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BSD214SN H6327参数：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：143pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6