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BSD223P

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BSD223P 优势库存
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BSD223P
INF
SOT-363
2023+
9000
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BSD223PH6327XTSA1
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PG-SOT363-6-1
2023+
15500
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BSD223P L6327
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PG-SOT363-PO
2023+
500
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BSD223P
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TO23 PB
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BSD223PH6327XTSA1
Infineon
PG-SOT-363-6
2023+
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相关型号： BSD214SN L6327 BSD214SN H6327 BS-COVER BSC900N20NS3 G BSC889N03MS G BSC889N03LS G

BSD223P
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BSD223P参数：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：10,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：390mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@390mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@1.5µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.62nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：56pF@15V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6

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