BSD223P参数：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：10,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：390mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@390mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@1.5µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.62nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：56pF@15V功率-最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：PG-SOT363-6
