BSD840N H6327参数：MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：880mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 880mA，2.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：PG-SOT363-6
