BSH205,215参数:MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):12V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):750mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 430mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):680mV @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 9.6V功率 - 最大值:417mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TO-236AB