BSM120D12P2C005参数:SIC PWR MODULE 1200V 120A
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:*包装:*FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 10V功率 - 最大值:780W安装类型:*封装:*供应商器件封装:*