BSN20-7参数:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):50V电流-连续漏极(Id)(25°C时):500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.8欧姆@220mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):40pF@10V功率-最大值:600mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23