BSO080P03S参数:MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):12.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):8毫欧@14.9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):136nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):5890pF@25V功率-最大值:1.79W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:PG-DSO-8