BSO083N03MS G参数:MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 14A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2100pF @ 15V功率 - 最大值:1.56W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:PG-DSO-8