BSO203SP参数:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 9A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2265pF @ 15V功率 - 最大值:2.35W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:P-DSO-8