BSO215C参数：MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： BSO215CDiscontinuation16/Mar/2004标准包装：2,500系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@3.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：246pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
