BSO220N

BSO220N03MD G
PDF资料下载

BSO220N03MD G参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 7.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8