BSO200N03参数：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 7.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 13µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1010pF @ 15V功率 - 最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8
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