BSO604NS2参数：MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 30µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：870pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：P-DSO-8
