BSP110

BSP110,115
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BSP110,115参数：MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：520mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40pF @ 10V
功率 - 最大值：6.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SC-73