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BSP123

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BSP123 优势库存
INFINEON
SOT223
2023+
15356
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BSP123E6327T
Infineon Techn..
PG-SOT223-4
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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PG-SOT223-4
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BSP123
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TO-223
2023+
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BSP123L6327
InfineonTechno..
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2011
￥12350TO-261-4,TO-2..
同亨电子元件经营部 VIP会员
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2023+
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INFINEON
TO-223
2023+
22512
全新原装现货，特价热卖
BSP123
飞利浦
223
2023+
6000
原装现货
相关型号： BSP122,115 BSP110,115 BSP100,135 BSP030,115 BSP 62 H6327 BSP 62 E6327

BSP123 L6327
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BSP123 L6327参数：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：370mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 370mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：70pF @ 25V
功率 - 最大值：1.79W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4

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