BSP123E6327T参数：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：370mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 370mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：70pF @ 25V功率 - 最大值：1.79W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：PG-SOT223-4
