BSP149 E6327参数：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：耗尽模式漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：660mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.8欧姆@660mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@400µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：430pF@25V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：PG-SOT223-4
