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BSS123LT1G

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BSS123LT1G
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BSS123LT1G参数：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：170mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@100mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：20pF@25V
功率-最大值：225mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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