BSS138LT3参数:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: LTBNotification03/Jan/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009标准包装:10,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):50V电流-连续漏极(Id)(25°C时):200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.5欧姆@200mA,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:225mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)