BSS139 E6327参数：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：耗尽模式漏源极电压(Vdss)：250V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14欧姆@0.1mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@56µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：76pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SOT23-3
