BSS159N E6327参数：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：耗尽模式漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：230mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.5欧姆@160mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@26µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.9nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：44pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SOT23-3
