BSS192PE6327T参数：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：250V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：190mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 190mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：104pF @ 25V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-243AA供应商器件封装：PG-SOT89-4
