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BSS209

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BSS209PW 优势库存
INFINEON
SOT-323
2023+
6356
原装现货，价格优势
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BSS209PWH6327XTSA1
Infineon Techn..
PG-SOT323
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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BSS209PW L6327
Infineon Techn..
PG-SOT323
2023+
500
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BSS209PW
Infineon Techn..
PG-SOT323
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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BSS209PW
INFINEON
SOT-323
2023+
2556
全新进口原装现货,特价热卖
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BSS209PWL6327
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2023+
2011
￥1250SC-70,SOT-323
同亨电子元件经营部 VIP会员
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BSS209PW
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2023+
2011
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BSS209PW
InfineonTechno..
SOT-323
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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BSS209
Infineon
SOT-323
2023+
6000
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BSS209
Infineon
SOT-323
2023+
8557
原装现货,即时发货
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BSS209PWH6327XTSA1
Infineon
SOT-323-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
相关型号： BSS205N L6327 BSS205N H6327 BSS192PE6327T BSS192PE6327 BSS192P L6327 BSS192,135

BSS209PW
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BSS209PW参数：MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：580mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@580mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@3.5µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.38nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：89.9pF@15V
功率-最大值：520mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：PG-SOT323-3

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