BSS209PW参数：MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：580mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@580mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@3.5µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.38nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：89.9pF@15V功率-最大值：520mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：PG-SOT323-3
