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BSS21

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BSS214NWH6327 优势库存
INFINEON
SOT-323
2023+
86200
一级代理/全新现货/长期供..
BSS214NH6327XTSA1
Infineon Techn..
PG-SOT23
2023+
3687
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BSS214NW L6327
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BSS214NL6327HTSA1
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PG-SOT23
2023+
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BSS214NWH6327XTSA1
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PG-SOT323
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168581
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BSS215PH6327XTSA1
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PG-SOT23
2023+
500
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BSS215PL6327HTSA1
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PG-SOT23
2023+
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BSS214NWL6327
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2011
￥1250SC-70,SOT-323
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BSS215PL6327
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￥6070TO-236-3,SC-5..
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BSS214NL6327
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￥1250TO-236-3,SC-5..
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BSS21
VISHAY
SOT-23
2023+
17278
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BSS214NWH6327
INFINEON
SOT-323
2023+
86200
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BSS215PH6327XT
Infineon
SOT-23-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon
SOT-323-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
BSS214NH6327XT
Infineon
SOT-23-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
相关型号： BSS209PW L6327 BSS209PW BSS205N L6327 BSS205N H6327 BSS192PE6327T BSS192PE6327

BSS214N H6327
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BSS214N H6327参数：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：143pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SOT23-3

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