BSS225参数：MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：90mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45欧姆@90mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@94µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：131pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-243AA供应商器件封装：PG-SOT89-4
