BSS670S2L参数：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@270mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@2.7µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：75pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SOT23-3
